Infineon IRFB7746PBF
$ 0.571
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-01-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-09-30
LTD Date2023-03-31
Verwandte Teile
InfineonIPP45N06S409AKSA2
60V, N-Ch, 9.1 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T2, PG-TO220-3, RoHS
NXP SemiconductorsPSMN7R6-60XSQ
N-channel 60 V 7.8 mΩ standard level MOSFET in TO220F (SOT186A)
STMicroelectronicsSTP55NF06FP
N-channel 60 V, 0.015 Ohm, 50 A STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFB7746PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 75 V 10.6 mOhm 55 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 75V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 99 W
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 75V, 0.0106ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 75V, 59A, TO-220AB-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 59A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.0106ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.7V;
Benefits: Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness; Fully characterized capacitance and avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability; Lead-free, RoHS compliant; StrongIRFET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)59 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance10.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.049 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation99 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance10.6 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation99 W
Rds On Max10.6 mΩ
Rise Time36 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time9.9 ns
Dimensions
Height20.57 mm