STMicroelectronics STP5NK52ZD
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-07-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
InfineonIPP60R1K4C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3 N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP5NK52ZD, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STP5NK52ZD N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4.4 A, 520 V, 3-PIN TO-220
N-channel 520V - 1.22Ohm - 4.4A - TO-220 - DPAK - I2PAK - IPAK
Trans MOSFET N-CH 520V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
520V 4.4A 1.22´Î@10V2.2A 70W 3.75V@50uA 13.4pF@25V N Channel 529pF@25V 16.9nC@10V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-220-3 MOSFETs ROHS
25W(Tc) 30V 4.5V@ 50µA 16.9nC@ 10 V 1individualNChannel 520V 1.5Ω@ 2.2A,10V 4.4A 529pF@25V TO-220 Through hole mounting 10.4mm*4.6mm*9.15mm
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4.4A; Drain Source Voltage Vds: 520V; On Resistance Rds(on): 1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipatio
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage520 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)520 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance529 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage520 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time13.6 ns
Turn-Off Delay Time23.1 ns
Turn-On Delay Time11.4 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant