STMicroelectronics STP5N52K3
$ 0.701
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STP5N52K3 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-01-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-02-04
LTD Date2016-08-04
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP5N52K3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 525 V, 1.2 Ohm typ., 4.4 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220 package
MOSFET Transistor, N Channel, 4.4 A, 525 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V
Trans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
4.4 A 525 V 1.5 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
525 V, 4.4 A, 1.2 OHM, TO-220, N-CHANNEL SUPERMESH3 POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 525V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 525V, 4.4A, TO 220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.4A; Drain Source Voltage Vds:525V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Power Dissipation Pd:70W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage525 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)525 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance450 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage525 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max1.5 Ω
Resistance1.5 Ω
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STP5N52K3 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant