STMicroelectronics STP5NK50Z
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP5NK50Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 500 V, 1.22 Ohm typ., 4.4 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
70W(Tc) 30V 4.5V@ 50¦ÌA 28nC@ 10 V 1N 500V 1.5¦¸@ 2.2A,10V 4.4A 535pF@25V TO-220 9.15mm
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 70 W
N-CHANNEL 500 V-1.22 OHM-4.4 A SUPERMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET | MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4.4A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 1.22ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipati
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.4 A
Current Rating4.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance535 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max1.5 Ω
Recovery Time310 ns
Resistance1.5 Ω
Rise Time10 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant