STMicroelectronics STP3N80K5
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-07-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP4NK80ZFP
N-CHANNEL 800V - 3 OHM - 3A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP3N80K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 800 V 3.5 O 60 W Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
STP3N80K5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2.5 A, 800 V, 3-PIN TO-220
N-channel 800 V, 2.8 Ohm typ., 2.5 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
STMicroelectronics NMOS MDmesh K5, SuperMESH5, Vds=800 V, 2.5 A, TO-220, , 3
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 800V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 800V, 2.5A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:2.5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP3N80K5
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Resistance3.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance130 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max3.5 Ω
Rise Time7.5 ns
Turn-Off Delay Time20.5 ns
Turn-On Delay Time8.5 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant