STMicroelectronics STF4N80K5
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF4N80K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
STF4N80K5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 800 V, 3-PIN TO-220FP
STMicroelectronics N-Channel MOSFET MDmesh K5, Vds=800V 3A TO-220FP TH 3-Pin
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmesh K5, SuperMESH5series, Vds=800 V, 3 A, TO-220FPencapsulation, Through hole mounting, 3Pin
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Resistance2.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance175 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max2.5 Ω
Resistance2.5 Ω
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time16.5 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant