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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Alternative Teile
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Price @ 1000
$ 0.913
$ 1.14
Stock
2,194,433
194,568
Authorized Distributors
2
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
800 V
Continuous Drain Current (ID)
2.8 A
5.5 A
Threshold Voltage
-
5 V
Rds On Max
2.6 Ω
2.5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
47 W
51 W
Input Capacitance
1.25 nF
1.31 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-11-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQPF5N80, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 800V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
47W(Tc) 5V@ 250¦ÌA 33nC@ 10V 1individualNChannel 800V 2.6¦¸@ 1.4A,10V 1.25pF@25V TO-220F Through hole mounting
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 800V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N, TO-220F; Transistor type:MOSFET; Current, Id cont:2.8A; Resistance, Rds on:2.6ohm; Case style:TO-220F; Current, Idm pulse:11.2A; Power dissipation:47W; Power, Pd:47W; Transistor polarity:N; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds max:800V
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.8 A
Current Rating2.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance2.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.25 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation47 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation47 W
Rds On Max2.6 Ω
Rise Time60 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Datenblätter und Dokumente
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