STMicroelectronics STF3N80K5
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Verwandte Teile
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF3N80K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 800 V 2.5 A 3.5 Ohm SuperMESH 5 Power Mosfet - TO-220FP
STF3N80K5 N-channel MOSFET Transistor, 2.5 A, 800 V, 3-Pin TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube / MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
20W(Tc) 30V 5V@ 100¦ÌA 9.5nC@ 10 V 1N 800V 3.5¦¸@ 1A,10V 2.5A 130pF@100V TO-220FP 16.4mm
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 800V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance3.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance130 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max3.5 Ω
Rise Time7.5 ns
Turn-Off Delay Time20.5 ns
Turn-On Delay Time8.5 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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