STMicroelectronics STP4NK80ZFP
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP4NK80ZFP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-CHANNEL 800V - 3 OHM - 3A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
STP4NK80ZFP N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 800 V, 3-PIN TO-220FP
N-channel 800 V, 2.7 Ohm typ., 3 A SuperMESH Power MOSFET in a TO-220FP package
Ciiva
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
N-CHANNEL 800 V-3 OHM-3 A-TO-220 ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance3.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance575 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max3.5 Ω
Resistance3.5 Ω
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height9.3 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant