STMicroelectronics STP150N3LLH6
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2012-11-10
LTD Date2013-05-10
Verwandte Teile
InfineonIPP042N03LGXKSA1
MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3 N-Channel 30 V 70A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
InfineonIPP034N03LGXKSA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 N-Channel 30 V 80A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
STMicroelectronicsSTP90NF03L
N-Channel 30V - 0.0056Ohm - 90A - TO-220 LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTP80NF03L-04
Transistor STP80NF03L-04 N-Channel MOSFET 30 Volt 80 Amp TO-220
STMicroelectronicsSTP75N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, TO-220 STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP150N3LLH6, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 30 V, 0.0024 Ohm, 80 A, TO-220 STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
110W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 40nC@ 4.5 V 1N 30V 3.3m¦¸@ 40A,10V 80A 4.04nF@25V TO-220
N CH POWER MOSFET, 30V, 80A, TO-220
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.04 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max3.3 mΩ
Resistance3.3 MΩ
Rise Time18 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time75 ns
Datenblätter und Dokumente
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