Infineon IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
$ 0.725
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIPP034N03LGXKSA1689
31m
FarnellIPP034N03LGXKSA101
11h
Microchip USAIPP034N03LGXKSA1117150Tube
17h
VericalIPP034N03LGXKSA1490344
Win Source
2
WS-IPP034N03LG7.97460
2h

Datenblätter und Dokumente

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Farnell

Datasheet10 SeitenVor 15 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 18 Jahren

Newark

iiiC

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-07-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31

Verwandte Teile

InfineonIPP042N03LGXKSA1
Transistor MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin TO-220 Tube
Details
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STMicroelectronicsSTP85N3LH5
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm , 80 A, TO-220; Power MOSFETs
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onsemiNDP603AL
MOSFET N-CH 30V 25A TO-220AB
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPP034N03LGXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Verical
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
MOSFET, N CH, 80A, 30V, PG-TO220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):2.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:94W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:80A; Power Dissipation Pd:94W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 80 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 3.4 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 5.4 / Rise Time ns = 6.4 / Turn-OFF Delay Time ns = 35 / Turn-ON Delay Time ns = 9.2 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Power Dissipation (Pd) W = 94
Distrelec

Bilder

Augswan
element14 APAC
TME
iiiC
LZChips
Distrelec
Future Electronics
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPP034N03L G
  • IPP034N03L G.
  • IPP034N03LG
  • SP000680772