STMicroelectronics STP90NF03L
$ 0.911
NRND
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STP90NF03L | 909 | 6 | |||||||||
| Arrow Electronics | STP90NF03L | 909 | 1 | |||||||||
| DigiKey | 497-7535-5-ND | 736 | 1 | Tube | ||||||||
| Avnet | STP90NF03L | 0 | 2K | 14h | ||||||||
| Future Electronics | STP90NF03L | 0 | 1K | Tape & Reel |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP95N3LLH6
N-channel 30 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP75N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, TO-220 STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP90NF03L, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 30V - 0.0056Ohm - 90A - TO-220 LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 30V 90A TO-220
Single N-Channel 30 V 150 W 47 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
150W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 47nC@ 5 V 1N 30V 6.5m¦¸@ 45A,10V 90A 2.7nF@25V TO-220 9.15mm
90 A 30 V 0.0065 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Current Rating90 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time105 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max6.5 mΩ
Rise Time200 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant