STMicroelectronics STP80NF03L-04
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2022-10-01
LTD Date2023-04-01
Verwandte Teile
InfineonIPP042N03LGXKSA1
MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3 N-Channel 30 V 70A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
InfineonIPP034N03LGXKSA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 N-Channel 30 V 80A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
STMicroelectronicsSTP95N3LLH6
N-channel 30 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP150N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0024 Ohm, 80 A, TO-220 STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
STMicroelectronicsSTP90NF03L
N-Channel 30V - 0.0056Ohm - 90A - TO-220 LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP80NF03L-04, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor STP80NF03L-04 N-Channel MOSFET 30 Volt 80 Amp TO-220
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 80 A, 0.004 ohm, TO-220, Through Hole
N-Channel 30 V 0.004 Ohm Flange Mount STripFET II Power Mosfet - TO-220
80 A 30 V 0.0055 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
N-CHANNEL 30V-0.0035 OHM-80A TO-220 STRIPFET II POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
300W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 110nC@ 4.5 V 1individualNChannel 30V 4.5mΩ@ 40A,10V 80A 5.5nF@25V TO-220 Through hole mounting 10.4mm*4.6mm*9.15mm
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 80A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.004ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1V; Power Dissipation P
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time95 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.5 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max4.5 mΩ
Resistance4.5 MΩ
Rise Time270 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height19.68 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant