STMicroelectronics STP75N3LLH6
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-10-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPP042N03LGXKSA1
MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3 N-Channel 30 V 70A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
InfineonIPP055N03LGXKSA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 N-Channel 30 V 50A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
STMicroelectronicsSTP90NF03L
N-Channel 30V - 0.0056Ohm - 90A - TO-220 LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
InfineonIPP034N03LGXKSA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 N-Channel 30 V 80A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP75N3LLH6, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, TO-220 STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
INTERSIL ISL55004IBZOperational Amplifier, Quad, 220 MHz, 4 Amplifier, 300 V/s,2.5V to15V, SOIC, 14 Pins
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
60W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 23.8nC@ 4.5 V 1individualNChannel 30V 5.9mΩ@ 37.5A,10V 75A 2.03nF@25V TO-220 Through hole mounting
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Resistance8.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.03 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation60 W
Rds On Max5.9 mΩ
Rise Time30 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time9.5 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant