STMicroelectronics STP105N3LL
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-12-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
InfineonIPP042N03LGXKSA1
MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3 N-Channel 30 V 70A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
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InfineonAUIRF1010Z
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTP120N4F6
N-channel 40 V, 3.8 mOhm, 80 A, TO-220 STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP105N3LL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 30 V, 2.7 mOhm typ., 150 A STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
Single N-Channel 30 V 140 W 42 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
140W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 42nC@ 4.5 V 1individualNChannel 30V 3.5mΩ@ 40A,10V 80A 3.1nF@25V TO-220 Through hole mounting 9.15mm(height)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)150 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time23.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.1 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation140 W
Rds On Max3.5 mΩ
Rise Time91 ns
Turn-Off Delay Time24.5 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant