onsemi NDP603AL

Name: onsemi NDP603AL
Brand: onsemi
SKU: NDP603AL

Mosfet N-ch 30V 25A TO-220AB

$ 0.345

Obsolete

Datenblatt

Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	2	NDP603AL	2.007	902					0,384	0,342
Rochester Electronics		NDP603AL	34.234					0,370	0,307	0,274	7h
Win Source		WS-NDP603AL	9.375	175					0,221	0,191	8h
Worldway Electronics		NDP603AL	21.110	7	Tube		0,082	0,079	0,075	0,075	7h
Quest		NDP603AL	41.165			0,609	0,508	0,406	0,254	0,213	6h

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Upverter

Technical Drawing1 SeiteVor 6 Jahren

IHS

DigiKey

Mouser

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1995-01-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2005-03-25

LTD Date2005-09-25

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NDP603AL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET N-CH 30V 25A TO-220AB

DigiKey

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

Jak Electronics

MOSFETs N-Channel FET LL Enhancement

Mouser

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-220-3

MountThrough Hole

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)25 A

Current Rating25 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance22 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time80 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.1 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation50 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-65 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingBulk

Power Dissipation50 W

Rds On Max22 mΩ

Rise Time70 ns

Turn-Off Delay Time90 ns

Turn-On Delay Time15 ns

Voltage Rating (DC)30 V

Dimensions

Height20.4 mm