STMicroelectronics STP80N10F7
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-02-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-11-11
LTD Date2023-05-11
Verwandte Teile
InfineonIPP083N10N5AKSA1
MOSFET N-CH 100V 73A TO220-3 / N-Channel 100 V 73A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
STMicroelectronicsSTP100N10F7
N-channel 100 V, 0.0068 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP80N10F7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
STP80N10F7 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 80 A, 100 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TO-220AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 80A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0085oh; Available until stocks are exhausted Alternative available
Mosfet, N-Ch, 100V, 80A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:80A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3.5V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP80N10F7
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.1 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max10 mΩ
Rise Time32 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width15.75 mm
Datenblätter und Dokumente
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