STMicroelectronics STL22N65M5
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STL22N65M5 | 60 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | STL22N65M5 | 3.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | STL22N65M5 | 3.000 | 3K | |||||||||
| TME | STL22N65M5 | 0 | 1 | 11h | ||||||||
| Avnet | STL22N65M5 | 0 | 3K | 21h |
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STL22N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.198 Ohm typ., 15 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV package
STL22N65M5 N-channel MOSFET Transistor, 15 A, 710 V, 5-Pin PowerFLAT HV
Mosfet, N-Ch, 650V, 15A, Powerflat Hv Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STL22N65M5
2.8W(Ta),110W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 36nC@ 10 V 1N 650V 210m¦¸@ 8.5A,10V 15A 1.345nF@100V
Low gate input resistance | MOSFET N CH 650V 15A PWRFLT8X8HV
Trans MOSFET N-CH Si 650V 15A 4-Pin Power Flat EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-Ch 650V .198Ohm 15A MDmesh M5
Power MOSFETs, 650V, 15A, PowerFLAT 8x8 HV, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
N-CH 650V 15A 210mOhm PwFLAT8x8
MOSFET, N-CH, 650V, 15A, POWERFLAT HV;
MOSFET N CH 650V 15A PWRFLT8X8HV
STMICROELECTRONICS STL22N65M5 MOSFETS
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance210 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.345 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation110 W
Rds On Max220 mΩ
Resistance210 MΩ
Rise Time7.5 ns
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time43 ns
Dimensions
Height950 µm
Length8 mm
Width8 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant