STMicroelectronics STB18N65M5
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-13083-1-ND | 770 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | STB18N65M5 | 0 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | STB18N65M5 | 0 | 1K | 10h | ||||||||
| Arrow Electronics | STB18N65M5 | 0 | 1K | |||||||||
| Farnell | STB18N65M5 | 0 | 1 | Cut Tape | 1d |
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB18N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.198 Ohm typ., 15 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STB18N65M5 N-channel MOSFET Transistor, 15 A, 710 V, 3-Pin D2PAK
N-Channel 650 V 0.22 Ohm 31 nC 110 W Silicon SMT Mosfet - TO-263
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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MOSFET, N-CH, 650V, 15A, 110W, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 15A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.198ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 110W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: MDmesh M5 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.24 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation110 W
Rds On Max220 mΩ
Resistance220 mΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time9 ns
Turn-On Delay Time36 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant