STMicroelectronics STB20N65M5
$ 1.656
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | STB20N65M5 | 1.000 | 1K | |||||||||
| Verical | STB20N65M5 | 1.000 | 1K | |||||||||
| TME | STB20N65M5-STM-0 | 1.000 | 1K | 8h | ||||||||
| DigiKey | 497-13639-1-ND | 819 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | STB20N65M5 | 0 | 1 | Cut Tape |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB28N60M2
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB20N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.160 Ohm typ., 18 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
(CP22-1029) Transistor 650V N-Channel Mosfet D2PAK STB20N65M5
N-Channel 710 V 190 mO 36 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK)
Mosfet, N-Ch, 650V, 18A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STB20N65M5
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage710 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.434 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max190 mΩ
Resistance190 MΩ
Rise Time7.5 ns
Schedule B8541290080
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant