Infineon IPB50R199CPATMA1
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-10-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB28N60M2
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB20N65M5
N-channel 650 V, 0.160 Ohm typ., 18 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB50R199CPATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 550V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.
MOSFET, N-CH, 550V, 17A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:550V; On Resistance Rds(on):0.18ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:139W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Resistance199 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.8 nF
Max Dual Supply Voltage500 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation139 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance199 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation139 W
Rds On Max199 mΩ
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen