STMicroelectronics STL100N10F7
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Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | STL100N10F7 | 6.000 | 3K | 21h | ||||||||
| Newark | STL100N10F7 | 428 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | 497-13649-1-ND | 13.484 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | STL100N10F7 | 3.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | STL100N10F7 | 147.000 | 3K |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
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STMicroelectronicsSTD100N10F7
N-channel 100 V, 0.0068 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
VishaySUM90N10-8M2P-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STL100N10F7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 100 V, 0.0062 Ohm typ., 19 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
STL100N10F7 N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 100 V, 8-Pin Power Flat
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MOSFET, N-CH, 100V, 80A, POWERFLAT; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:80A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)70 A
Drain to Source Resistance7.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.68 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation100 W
Rds On Max7.3 mΩ
Rise Time40 ns
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Dimensions
Height950 µm
Length5.4 mm
Width6.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant