Infineon BSC070N10NS3GATMA1
$ 0.707
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -71.07%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon BSC070N10NS3GATMA1 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon BSC070N10NS3GATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-04-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTH110N10F7-2
N-channel 100 V, 4.9 mOhm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
InfineonIRFH5110TRPBF
Single N-Channel 100 V 12.4 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
STMicroelectronicsSTL70N10F3
N-channel 100 V, 0.0065 Ohm, 16 A PowerFLAT(TM) 5x6 STripFET(TM) III Power MOSFET
InfineonIRFH5010TRPBF
Single N-Channel 100 V 9 mOhm 101 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSC070N10NS3GATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 90 A, 0.0063 ohm, TDSON, Surface Mount
Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:90A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.7V; Power Dissipation:114W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC070N10NS3GATMA1.
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -71.07%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation114 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance7 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation114 W
Rds On Max7 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.7 V
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon BSC070N10NS3GATMA1 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen