Infineon IPD90N10S4L06ATMA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-11-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
InfineonIPD70N10S3L12ATMA1
100V, N-Ch, 11.5 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T, PG-TO252-3, RoHS
InfineonIPD053N08N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
InfineonIPD90N08S405ATMA1
Mosfet, N-Ch, 80V, 175Deg C, 144W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N08S405ATMA1
STMicroelectronicsSTD105N10F7AG
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTD110N8F6
N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
onsemiFDD86367-F085
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK / N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252AA
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPD90N10S4L06ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 100V, 90A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N10S4L06ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 90 A, 0.0058 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
100V, N-Ch, 6.6 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 100V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0058ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: highest current capability 180A; low switching and conduction power losses for high thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: 48V inverter; 48V DC/DC; HID lighting
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Resistance6.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance6.25 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation136 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance6.6 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation136 W
Rds On Max6.6 mΩ
Rise Time6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen