onsemi NDBA100N10BT4H
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-01-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTH110N10F7-2
N-channel 100 V, 4.9 mOhm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
InfineonIPB065N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK / N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
InfineonIPB049N08N5ATMA1
Mosfet, N-Ch, 80V, 80A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB049N08N5ATMA1
STMicroelectronicsSTB100N10F7
N-channel 100 V, 0.0068 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTH80N10F7-2
N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NDBA100N10BT4H, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, 100V, 6.9mΩ, 100A, N-Channel
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Each |Onsemi NDBA100N10BT4H
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance8.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time52 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.95 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max6.9 mΩ
Rise Time385 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time68 ns
Turn-On Delay Time40 ns
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