STMicroelectronics STGW35NB60SD
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-11-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-09-11
LTD Date2023-03-11
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTGW30NC60WD
Transistor IGBT Chip N-Channel 600 Volt 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
STMicroelectronicsSTGW39NC60VD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STMicroelectronicsSTGW45HF60WD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGW35NB60SD, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STGW35 Series 600 V 70 A Through Hole N-Channel Silicon IGBT - TO-247-3
STGW35NB60SD, IGBT Transistor, 75 A 600 V, 1MHz, 3-Pin TO-247
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AA
STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
N-CHANNEL 35A - 600V - TO-247 Low Drop PowerMESH TM IGBT
Igbt |Stmicroelectronics STGW35NB60SD
70 A 600 V N-CHANNEL IGBT TO-247AA
N-CHANNEL 35A - 600V IGBTTO 247<AZ
IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:70A; Collector Emitter Voltage Vces:1.7V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:70A; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Max:200W; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulsed Current Icm:250A; Rise Time:70ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.7 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Drain Current (ID)70 A
Current Rating35 A
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current70 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation200 W
Reverse Recovery Time44 ns
Rise Time70 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant