STMicroelectronics STFI7LN80K5
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Authorized Distributors
4
1
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-262-3
TO-262-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
800 V
Continuous Drain Current (ID)
5 A
6 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
1.15 Ω
1.2 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
30 V
Power Dissipation
-
-
Input Capacitance
270 pF
360 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-12-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTFI7N80K5
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N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in I2PAKFP package
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STFI7LN80K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a I2PAKFP package
Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) I2PAKFP Tube
MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP
Power Field-Effect Transistor
Ptd High Voltage
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Input Capacitance270 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Operating Temperature-55 °C
Rds On Max1.15 Ω
Schedule B8541290080
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