STMicroelectronics STFI6N80K5
$ 0.959
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-15020-5-ND | 1.477 | 1 | Tube | ||||||||
| Microchip USA | STFI6N80K5 | 333 | 600 | Tube | 21h | |||||||
| Win Source | WS-STFI6N80K5 | 12.000 | 35 | 5h | ||||||||
| Worldway Electronics | STFI6N80K5 | 6.518 | 7 | Tube | 4h | |||||||
| Component Stockers USA | STFI6N80K5 | 45 | 19h |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTFI7LN80K5
N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTFI6N62K3
N-channel 620 V, 0.95 Ohm, 5.5 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
onsemiFQI6N60CTU
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STFI6N80K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in I2PAKFP package
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Ultra low gate charge | MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK-FP
Ptd High Voltage
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Weight2.084002 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Drain to Source Resistance1.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance270 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max1.6 Ω
Resistance1.3 Ω
Rise Time7.5 ns
Turn-Off Delay Time28.5 ns
Turn-On Delay Time16 ns
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