Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-11-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB7NK80Z-1
N-channel 800 V, 1.5 Ohm typ., 5.2 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in an I2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQI5N80TU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 800V 4.8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 800V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, I2PAK-3
3.13W(Ta)£¬140W(Tc) 5V@ 250¦ÌA 33nC@ 10V 1individualNChannel 800V 2.6¦¸@ 2.4A,10V 1.25pF@25V I2PAK£¬TO-262 Through hole mounting
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.8 A
Current Rating4.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance2.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.25 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max2.6 Ω
Rise Time60 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Datenblätter und Dokumente
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