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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-04-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB6NK60Z-1
N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - I2PAK Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
STMicroelectronicsSTB4NK60Z-1
N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in I2PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQI6N60CTU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
125W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 20nC@ 10V 1individualNChannel 600V 2¦¸@ 2.75A,10V 810pF@25V I2PAK£¬TO-262 Through hole mounting
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Current Rating6 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance810 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Rds On Max2 Ω
Rise Time45 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Datenblätter und Dokumente
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