STMicroelectronics STFI6N62K3
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-05-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB6NK60Z-1
N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - I2PAK Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
STMicroelectronicsSTFI8N80K5
N-channel 800 V, 0.8 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in I2PAKFP package
onsemiFQI5N50CTU
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STFI6N62K3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 620 V, 0.95 Ohm, 5.5 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin TO-281 Tube
MOSFET N-Ch 620 V 0.95 Ohm 5.5 A SuperMESH
N-channel 620 V, 0.95 Ω typ., 5.5 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220, IPAK packages | MOSFET N CH 620V 5.5A I2PAKFP
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 620V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-281
MOSFET N-CHNL 620V 5.5A 3-PIN I2PAKFP
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage620 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance875 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage620 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max1.2 Ω
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time49 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Datenblätter und Dokumente
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