STMicroelectronics STFI31N65M5
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Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTI33N65M2
N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTFI34N65M5
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STFI31N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 22 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STFI31N65M5 N-channel MOSFET Transistor, 22 A, 710 V, 3-Pin I2PAKFP
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) I2PAKFP Tube
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance124 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.865 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max148 mΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time46 ns
Dimensions
Height10.85 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant