STMicroelectronics STD4NK80ZT4
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | STD4NK80ZT4 | 2.500 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Newark | STD4NK80ZT4 | 4.897 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | STD4NK80ZT4 | 5.000 | 2500 | |||||||||
| Verical | STD4NK80ZT4 | 5.000 | 2500 | |||||||||
| TME | STD4NK80ZT4 | 1.676 | 1 | 1d |
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Stock
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272,297
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Through Hole
Case/Package
DPAK
TO-251-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
800 V
Continuous Drain Current (ID)
3 A
3 A
Threshold Voltage
3 V
-
Rds On Max
3.5 Ω
3.5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
80 W
80 W
Input Capacitance
575 pF
575 pF
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD3NK80ZT4
N-CHANNEL 800V - 3.8 Ohm - 2.5A DPAK Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD4NK80ZT4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-CHANNEL 800V - 3 OHM - 3A DPAK Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
STD4NK80ZT4 N-channel MOSFET Transistor, 3 A, 800 V, 3-Pin DPAK
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 3 A, 3.5 Ohm, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
MOSFET, N CH, 800V, 3A, DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1.5A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation Pd: 80W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 3A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 800V; Voltage Vgs Max: 30V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Mosfet, N Channel, 800V, 3A, Dpak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:1.5A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:800V; Resistencia De Activación Rds(On):3Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Núm. De Contactos:3 |Stmicroelectronics STD4NK80ZT4
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current Rating3 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance3.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance575 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation80 W
Rds On Max3.5 Ω
Resistance3.5 Ω
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Dimensions
Height2.63 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant