STMicroelectronics STD4N62K3

N-channel 620 V, 1.7 Ohm typ., 3.8 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in DPAK package
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Farnell

Datasheet20 SeitenVor 7 Jahren

TME

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STMicroelectronics

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-05-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STD4N62K3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-channel 620 V, 1.7 Ohm typ., 3.8 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in DPAK package
N-Channel 620 V 1.95 Ohm Surface Mount SuperMesh III Power MosFet - TO-252-3
Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 620V, 1.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 620V, 3.8A, DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.8A; Drain Source Voltage Vds: 620V; On Resistance Rds(on): 1.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Pow

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics