STMicroelectronics STD4NK80Z-1
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Stock
272,297
1,308,547
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
Surface Mount
Case/Package
TO-251-3
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
800 V
Continuous Drain Current (ID)
3 A
3 A
Threshold Voltage
-
3 V
Rds On Max
3.5 Ω
3.5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
80 W
80 W
Input Capacitance
575 pF
575 pF
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD3NK80Z-1
N-CHANNEL 800V - 3.8 Ohm - 2.5A IPAK Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD4NK80Z-1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-CHANNEL 800V - 3 OHM - 3A IPAK Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
N-Channel 800 V 3.5 Ohm Through Hole SuperMESH Power Mosfet - IPAK
N-channel 800 V, 2.7 Ohm typ., 3 A SuperMESH Power MOSFET in an IPAK package
Ciiva
N-CHANNEL 800 V-3 OHM-3 A-TO-220 ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance3.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance575 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation80 W
Rds On Max3.5 Ω
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant