STMicroelectronics STD4N80K5
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD4N80K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package
N-channel 800 V 3 A 2.5 Ohm Surface Mount Power MOSFET - TO-252-3
STD4N80K5 N-channel MOSFET Transistor, 3 A, 800 V, 3-Pin DPAK
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N-CH, 800V, 3A, 150DEG C, 60W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 2.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 60W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: MDmesh K5 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -10.36%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance2.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance175 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation60 W
Rds On Max2.5 Ω
Resistance2.5 Ω
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time16.5 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant