STMicroelectronics STU4N80K5
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-12-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-09-29
LTD Date2026-03-29
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD3NK80Z-1
N-CHANNEL 800V - 3.8 Ohm - 2.5A IPAK Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STU4N80K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in IPAK package
STU4N80K5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 800 V, 3-PIN IPAK
MOSFET, N-CH, 800V, 2.5A, TO-251; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2.5A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 2.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Powe
N-channel 800 V, 2.1 OHM typ., 3 A Mdmesh K5 Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.04%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Resistance2.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance175 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max2.5 Ω
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time16.5 ns
Dimensions
Height6.2 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
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