STMicroelectronics STU3N80K5
$ 0.632
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-14223-5-ND | 75 | 1 | Tube | ||||||||
| Avnet | STU3N80K5 | 0 | 3K | 23h | ||||||||
| Future Electronics | STU3N80K5 | 0 | 3K | Tube | ||||||||
| Mouser | 511-STU3N80K5 | 2.731 | 1 | Tube | ||||||||
| Win Source | WS-STU3N80K5 | 9.200 | 90 | 22h |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-07-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD4NK80Z-1
N-CHANNEL 800V - 3 OHM - 3A IPAK Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STU3N80K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STU3N80K5 N-channel MOSFET Transistor, 2.5 A, 800 V, 3-Pin IPAK
N-Channel 800 V 3.5 Ohm Through Hole SuperMESH5 Power Mosfet - IPAK
N-channel 800 V, 2.8 Ohm typ., 2.5 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in IPAK package
60W(Tc) 30V 5V@ 100¦ÌA 9.5nC@ 10 V 1N 800V 3.5¦¸@ 1A,10V 2.5A 130pF@100V IPAK,TO-251 8.4mm
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 800V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
800V 2.5A 2.8´Î@10V1A 60W 4V@100uA 0.6pF@100V N Channel 130pF@100V 9.5nC@0~10V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-251(I-PAK) MOSFETs ROHS
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Resistance3.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance130 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max3.5 Ω
Rise Time7.5 ns
Turn-Off Delay Time20.5 ns
Turn-On Delay Time8.5 ns
Dimensions
Height6.2 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm