STMicroelectronics STB10N95K5
$ 1.639
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STB10N95K5 | 1.296 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | 497-14971-1-ND | 1.889 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | STB10N95K5 | 0 | 1K | 3h | ||||||||
| Future Electronics | STB10N95K5 | 0 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | STB10N95K5 | 0 | 1K |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -8.34%
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Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB10N65K3
N-channel 650 V, 0.75 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH3(TM) Power MOSFET in D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB10N95K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK / N-Channel 950 V 8A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in D2PAK package
Mosfet, N-Ch, 950V, 8A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STB10N95K5
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 950V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -8.34%
CAD-Modelle
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0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage950 V
Drain to Source Resistance800 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance630 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Breakdown Voltage950 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation130 W
Rds On Max800 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time22 ns
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