onsemi IRFW630BTM_FP001

Name: onsemi IRFW630BTM_FP001
Brand: onsemi
SKU: IRFW630BTM_FP001

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Distributor	SKU		Min
Component Stockers USA	IRFW630BTM_FP001	2.059		0,430	0,430	0,400	0,400	0,400	2d
Worldway Electronics	IRFW630BTM_FP001	14.750	7		0,549	0,532	0,504	0,504	4h
Classic Components	IRFW630BTM_FP001	37							19h
QUARKTWIN TECHNOLOGY LTD	IRFW630BTM_FP001	Kontakt		0,360	0,324	0,292	0,237	0,213	>1wk
Klychip	IRFW630BTM_FP001	Kontakt	1	0,430	0,430	0,409	0,409	0,409	>1wk

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 12 Jahren

onsemi

Newark

Fairchild Semiconductor

Jameco

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi IRFW630BTM_FP001, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

Discrete MOSFET, TO-263 2L (D2PAK), 6400-TAPE REEL

Utmel Electronic

N-CH/200V/9A/0.4OHM/Substitute of IRFW630ATM

Master Electronics

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

200V N-Channel B-FET / Substitute of IRFW630A

Onlinecomponents.com

FAIRCHILD ,IRFW630BTM_FP001 <NV

Jameco

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:9A; On Resistance, Rds(on):0.4ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-263 ;RoHS Compliant: Yes

Newark

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters, switch mode power supplies, DC-AC converters for uninterrupted power supply and motor control.

Bilder

Newark

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRFW630BTMFP001
IRFW630BTM_FP001.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-263-3

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight1.31247 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)9 A

Drain to Source Breakdown Voltage200 V

Drain to Source Resistance400 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)200 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time65 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance720 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation72 W

Min Breakdown Voltage200 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation3.13 W

Rds On Max400 mΩ

Rise Time70 ns

Turn-Off Delay Time60 ns

Turn-On Delay Time11 ns

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