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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-06-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2007-02-28
LTD Date2007-08-29
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQB9N25TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 250V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.4 A
Current Rating9.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance420 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance700 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.13 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max420 mΩ
Rise Time105 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)250 V
Datenblätter und Dokumente
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