STMicroelectronics SCT50N120

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
$ 17.139
Obsolete
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Datasheet12 SeitenVor 10 Jahren

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-06-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-02-15
LTD Date2026-08-15

Verwandte Teile

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Transistor MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin (3+Tab) TO-247AC
Single N-Channel 900 V 2.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
Single N-Channel 900 V 1.6 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics SCT50N120, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
STMicroelectronics N-Ch Depletion MOSFET Module SCT Series, Vds=1200V 65A HiP247 TH 3-Pin
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
N-Channel 1200 V 59 mO 122 nC Silicon Carbide Power Mosfet - HiP247
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 1200V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET
SIC MOSFET, N CH, 1.2KV, 65A, HIP247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 65A; Drain Source Voltage Vds: 1.2kV; On Resistance Rds(on): 0.052ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 20V; Threshold Voltage Vgs:

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics