STMicroelectronics SCT50N120
$ 19.251
Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-06-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2026-02-15
LTD Date2026-08-15
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics SCT50N120, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
N-Channel 1200 V 59 mO 122 nC Silicon Carbide Power Mosfet - HiP247
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 1200V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 65A, HIP247-3; MOSFET Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:65A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; No. of Pins:3Pins; Rds(on) Test Voltage:20V; Power Dissipation:318W RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)65 A
Drain to Source Resistance690 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.9 nF
Max Junction Temperature (Tj)200 °C
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation318 W
Manufacturer Package IdentifierHiP247-8396756
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation318 W
Rds On Max69 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.8 V
Dimensions
Height24.45 mm
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