STMicroelectronics SCT10N120

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
$ 6.709
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
NewarkSCT10N1202091
VericalSCT10N1201010
TME
2
SCT10N120561
16h
AvnetSCT10N1200600
5d
Future ElectronicsSCT10N120030Tube

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Future Electronics

Datasheet14 SeitenVor 9 Jahren

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-05-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)

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Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics SCT10N120, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
STMicroelectronics
N-Channel 1200 V 520 mO 22 nC Silicon Carbide power Mosfet - HiP247
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
Verical
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, HiP247
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1200V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 12A, HIP247-3; MOSFET Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; No. of Pins:3Pins; Rds(on) Test Voltage:20V; Power Dissipation:150W RoHS Compliant: Yes
Newark

Bilder

Farnell
RS
Lanka Micro
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics