STMicroelectronics SCT30N120

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
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Obsolete
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STMicroelectronics

Datasheet13 SeitenVor 13 Jahren

Future Electronics

element14 APAC

Newark

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2026-02-15
LTD Date2026-08-15

Verwandte Teile

STMicroelectronicsSCT20N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package
Single N-Channel 900 V 2.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
Transistor MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin (3+Tab) TO-247AC
Single N-Channel 900 V 3.7 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
STMicroelectronicsSTWA40N95K5
N-channel 950 V, 0.110 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 long leads package
STMicroelectronicsSTW23N85K5
N-channel 850 V, 0.2 Ohm typ., 19 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics SCT30N120, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Single N-Channel 1200 V 270 W 105 nC SiC Through Hole Mosfet - HiP247
MOSFET, N CH, 1.2KV, 40A, HIP247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 1.2kV; On Resistance Rds(on): 0.08ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 20V; Threshold Voltage Vgs: 2.6V;
Mosfet, N Ch, 1.2Kv, 40A, Hip247-3; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:40A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:1.2Kv; Resistencia De Activación Rds(On):0.08Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):20V |Stmicroelectronics SCT30N120

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics