Vishay IRFPF40PBF
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-07-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-11-04
LTD Date2025-05-04
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW7N105K5
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTW10N105K5
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemiFCH067N65S3-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 67 mΩ, TO-247
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRFPF40PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 900 V 2.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
Mosfet N-Channel 900V Rohs Compliant: No
Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 900V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Vishay NMOS, Vds=900 V, 4.7 A, TO-247AC
MOSFET, N-CH, 900V, 4.7A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4.7A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 2.5ohm; ; Available until stocks are exhausted Alternative available
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance2.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Output Voltage800 V
PackagingBulk
Power Dissipation150 W
Rds On Max2.5 Ω
Resistance2.5 Ω
Rise Time36 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height20.7 mm
Length15.87 mm
Width5.31 mm