STMicroelectronics SCT20N120
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-11-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-02-15
LTD Date2026-08-15
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW23N85K5
N-channel 850 V, 0.2 Ohm typ., 19 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
STMicroelectronicsSTWA20N95K5
N-channel 950 V, 0.275 Ohm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 long leads package
STMicroelectronicsSTW22N95K5
MOSFET N-Channel 950V 17.5A 250W(Tc) 330mΩ@9A,10V 1.55nF@100V TO-247-3 TH 24.45mm H
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics SCT20N120, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 20A, HIP247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20A; Drain Source Voltage Vds: 1.2kV; On Resistance Rds(on): 0.169ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 20V; Threshold Voltage Vgs: 3.5V;
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.2 kV
Drain to Source Resistance1.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance650 pF
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation175 W
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max239 mΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant