onsemi FQB19N10LTM
$ 0.654
Obsolete
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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-06-06
LTD Date2008-12-06
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQB19N10LTM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
3.75W(Ta),75W(Tc) 2V@ 250¦ÌA 18nC@ 5V 1N 100V 100m¦¸@ 9.5A,10V 870pF@25V D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 100V N-Ch Log Level
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Current Rating19 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time140 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance870 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max100 mΩ
Rise Time410 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Datenblätter und Dokumente
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