onsemi RFD14N05LSM9A

Name: onsemi RFD14N05LSM9A
Brand: onsemi
SKU: RFD14N05LSM9A

N-Channel Logic Level Power MOSFET 50V, 14A, 100mΩ

$ 0.343

Production

Herstellerseite Datenblatt

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	RFD14N05LSM9A	10	1	Cut Tape	0,106	0,106	0,106	0,106	0,106
Arrow Electronics		RFD14N05LSM9A	27	1		0,293	0,282	0,282	0,282	0,282
Verical		RFD14N05LSM9A	27	21				0,282	0,282	0,282
Master Electronics		RFD14N05LSM9A	1.800	100				0,505	0,343	0,261
Onlinecomponents.com		RFD14N05LSM9A	1.800	100	Bulk			0,505	0,343	0,261

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Newark

Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Upverter

IHS

Fairchild Semiconductor

onsemi

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Alternative Teile

onsemiRFD14N05LSM9A

onsemiRFD14N05LSM

Price @ 1000

$ 0.343

$ 0.469

Stock

363,122

361,783

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

50 V

Continuous Drain Current (ID)

14 A

Threshold Voltage

2 V

Rds On Max

100 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

10 V

Power Dissipation

48 W

Input Capacitance

670 pF

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1999-04-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi RFD14N05LSM9A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Logic Level Power MOSFET 50V, 14A, 100mΩ

onsemi

N-Channel 50 V 0.1 Ohm Surface Mount Logic Level Power Mosfet - TO-252AA

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

N CHANNEL MOSFET, 50V, 14mA; Transistor; N CHANNEL MOSFET, 50V, 14mA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14mA; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V

element14 APAC

These are N-channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers and relay drivers. This performance is accomplished through a special gate oxide design which provides full rated conductance at gate bias in the 3V-5V range, thereby facilitating true on-off power control directly from logic level (5V) integrated circuits. Formerly developmental type TA09870.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

RFD14N05LSM9/A

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageDPAK

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight260.37 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)14 A

Current Rating14 A

Drain to Source Breakdown Voltage50 V

Drain to Source Resistance100 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)50 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time16 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)10 V

Input Capacitance670 pF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation48 W

Min Breakdown Voltage50 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs2 V

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingCut Tape

Power Dissipation48 W

Rds On Max100 mΩ

Resistance100 mΩ

Rise Time24 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage2 V

Turn-Off Delay Time42 ns

Turn-On Delay Time13 ns

Voltage Rating (DC)50 V

Dimensions

Height2.517 mm

Length6.73 mm

Width6.22 mm