Vishay IRLR024TRPBF
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Verwandte Teile
onsemiRFD14N05LSM9A
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 14A Tc 14mA 48W 16ns
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRLR024TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 60 V 0.1 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
2.5W(Ta)£¬42W(Tc) 10V 2V@ 250¦ÌA 18nC@ 5 V 1individualNChannel 60V 100m¦¸@ 8.4A,5V 14A 870pF@25V TO-252 SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.38mm
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:14A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:5V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:2.5W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: No |Vishay IRLR024TRPBF.
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
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0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance870 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max100 mΩ
Resistance100 mΩ
Rise Time110 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen