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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-07-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD16NF06T4
STD16NF06T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 16 A, 60 V, 3-PIN TO-252
onsemiRFD14N05LSM9A
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 14A Tc 14mA 48W 16ns
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi RFD14N05SM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TRANS MOSFET N-CH 50V 14A 3PIN TO-252AA
14A, 50V, 0.100 OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:4
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Current Rating14 A
Drain to Source Breakdown Voltage50 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Dual Supply Voltage50 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance570 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation48 W
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation48 W
Rds On Max100 mΩ
Resistance100 mΩ
Rise Time26 ns
TerminationSMD/SMT
Turn-Off Delay Time45 ns
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Width6.8 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen